图文详情
产品属性
相关推荐
SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 5.0ns 60-VFBGA (8x9)
特征
•VDD和VDDQ = 1.70–1.95v
•双向数据选通每字节数据(DQS)
•内部,流水线双数据速率(DDR)
每时钟周期的两个数据访问
•差分时钟输入(CK和CK #)
•输入每个积极CK边缘的命令
•DQS边缘对齐与数据读取;centeraligned
写入数据
•4内部银行的并发操作
掩模写数据的数据屏蔽(DM)
每字节
•可编程突发长度(BL):2,4,8,或16
•并发自动预充电选项支持
•自动刷新和自我刷新模式
•1.8V的LVCMOS兼容的输入
•温度补偿自刷新(TCSR)
•部分阵列自刷新(PASR)
•深层关机(DPD)
•状态读取登记(SRR)
•可选输出驱动强度(DS)
•时钟停止能力
•64ms刷新,汽车温度32ms
选择标记
•VDD和VDDQ
–1.8v/1.8v H
•配置
–32梅格x 16(8 x 16 x 4梅格32m16银行)
–16梅格x 32(4 x 32 x 4梅格16m32银行)
•寻址
JEDEC标准寻址
–减少页面大小LG
塑料“绿色”包装
–60球VFBGA(8mm×9mm)2高炉
–90球VFBGA(8×13mm)3 B5
•定时-周期时间
–5ns @ CL = 3(200 MHz)- 5
–5.4ns @ CL = 3(185 MHz)- 54
–6ns @ CL = 3(166 MHz)- 6
–7.5ns @ CL = 3(133 MHz)- 75
•功率
–IDD2 / IDD6没有标准
工作温度范围
–商业(0˚+ 70˚C)没有
–工业(–40˚C + 85˚C)它
–汽车(–40˚C + 105˚C)在
设计修改:C
注:1。联系工厂的可用性。
2。只有x16配置。
三.只有X32配置
MT46H32M16LFBF-5 IT:C
Micron
60-VFBGA
1782pcs
MT48LC4M16A2P-6A:J,Micron存储器
EPM1270T144I5N,ALTER复杂可编程逻辑器件
Alliance存储器AS4C32M16D2A-25BCN
Micron存储器IC MT47H128M8CF-25E:H
供应MT46H32M32LFB5-5 A IT:B 原装Micron存储器规格
MT47H128M8CF-25EIT:H Micron存储器
原装Micron动态存储器IC,MT47H128M8CF-3 IT:H特征
MT47H64M16HR-25E:H Micron存储器
供应Micron存储器MT48LC4M16A2P-6AIT:J
NT5CB256M16CP-DI 优势供应NANYA原装DDR3