供应ST 晶体管STW48N60M2

地区:广东 深圳
认证:

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供应ST 晶体管STW48N60M2

规格
产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 42 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 70 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 119 ns
Pd-功率耗散: 300 W
上升时间: 17 ns
系列: MDmesh M2
工厂包装数量: 600
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 18.5 ns

型号/规格

TPS61165DBVR

品牌/商标

ST

封装

TO-247

数量

2520