ST晶体管STD7NM80

特征
■100%雪崩测试
■低输入电容和栅极电荷
■低栅极输入电阻
应用
■开关应用
描述
™MDmesh技术应用的好处
多漏过程，意法半导体的
著名™PowerMESH水平布局
结构。由此产生的产品提供低导通电阻，
高的DV / dt的能力和优秀
雪崩特性。

规格

产品种类: MOSFET
制造商: STMicroelectronics
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 6.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.05 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 18 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 4 S
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
Pd-功率耗散: 90 W
上升时间: 8 ns
系列: N-channel MDmesh
工厂包装数量: 2500
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
宽度: 6.2 mm

型号/规格

STD7NM80

品牌/商标

ST

封装

DPAK

数量

7486

供应ST晶体管STD7NM80