MEM4N65 微盟 N/650V/4A 高压大功率MOS管

MOSFET是具有源极（Source），栅极（Gate），漏极（Drain）和主体（Body）端子的四端子设备。通常，MOSFET的主体与源极端子连接，从而形成诸如场效应晶体管的三端子器件。MOSFET通常被认为是晶体管，并且在模拟和数字电路中都使用。

理想的开关特性

当MOSFET可以用作理想开关时，它应具有以下特性，这些特性是:

• 在“开”状态下，它必须具有电流限制
• 在关断状态下，阻塞电压电平不应有任何限制
• 当设备处于开启状态时，电压降值应为零
• 关断状态下的电阻应无穷大
• 操作速度上不应有任何限制

实用的开关特性

由于世界不仅限于理想的应用，因此MOSFET的功能甚至适用于实际目的。在实际情况下，设备应具有以下属性

• 在接通条件下，应限制功率管理能力，这意味着必须限制传导电流的流动。
• 在关闭状态下，不应限制阻断电压水平
• 开启和关闭有限的时间限制了设备的极限速度，甚至限制了功能频率
• 在MOSFET器件导通的情况下，电阻值极小，这会导致正向偏置电压下降。此外，存在有限的OFF状态电阻，该电阻可提供反向泄漏电流
• 当设备以实际性能运行时，它会在开启和关闭条件下失去电源。即使在过渡状态中也会发生这种情况。

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