CRZ-1632R-100 A级薄膜电阻芯片

型号：PT100、PT1000 薄膜电阻芯片

描述：用真空沉积的薄膜技术把铂溅射在陶瓷基片上，膜厚在2微米以内，用玻璃烧结料把Ni（或Pd）引线固定，经激光调阻制成薄膜元件。

日本林电工HAYASHI DENKO pt100 pt500 pt1000铂电阻元件--薄膜铂电阻： 用真空沉积的薄膜技术把铂溅射在陶瓷基片上，膜厚在2μm以内，用玻璃烧结料把Ni(或Pd)引线固定，经激光调阻制成薄膜元件。绕线铂电阻（陶瓷、玻璃、云母）：用φ0.02～0.04 ㎜ 高纯铂丝绕制而成。铂电阻元件的测试电流不应超过允许值，例如CRZ-1632元件装在没有任何充填物的φ8mm保护管内，浸在0℃的搅拌水中，当测试电流为1mA时，自热温升为0.05℃; 当测试电流为5mA时，自热温升为2.2℃。3.  在制做温度传感器时，必须保证灌封材料的高度绝缘性能，否则会导致产品的电气绝缘性能降低，并且影响元件的测试数据，一般会导致测试电阻值偏低。

CRZ薄膜元件应用的注意事项:

1.    直接使用元件或制成温度传感器测温时，避免超过测温量程，短时间内虽不会损坏亦影响产品寿命和精度。

2.    用CRZ元件组装温度传感器时，在使用高温固化环氧胶灌封时，应注意其在固化过程中应力的变化，否则可能损坏元件(一般为开路)；在使用氧化镁或氧化铝充填过程中，应避免元件直接接触保护管尖锐的内表面，否则在振动过程中，有可能使元件的瓷片边缘破损，造成元件开路损坏。
CRZ-1632R-100

CRZ-1632R-100
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