AFT09MS031GNR1射频金属氧化物 半导体场效应 晶体管

产品简介：AFT09MS031GNR1 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管   

制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 40 V
工作频率: 764 MHz to 941 MHz
增益: 18.5 dB
封装: TO-270-2
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列: AFT09MS031N
包装数量: 500
晶体管类型: LDMOS FET
类型: RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 12 V

AFT09MS031GNR1/AFT09MS031GNR1/AFT09MS031GNR1

公司简介：

公司宗旨：“诚信交易 合作共赢 服务至上”
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公司合作品牌：ADI、XILINX、ST、ON、VISHAY、BROA、TI、MAXIM、INFINEON等

应用领域：IT、通信、遥控、航空航天、卫星数字电视、医疗设备，仪器仪表设备，测量设备，电源，电力设备，智能控制设备，电子称，家用电器、手机，GPS，笔记本电脑，汽车电子及其它高端电子智能控制设备等等。

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