DG2001EDV-T1-GE3模拟开关

制造商:vishay siliconix
系列:trenchfet?
包装:带卷（tr）
零件状态:在售
fet 类型:n 沟道
技术:mosfet (metal oxide)
漏源极电压（vdss）:30v
电流 - 连续漏极（id）（25°c 时）:3.16a（ta）
drive voltage (max rds on, min rds on):*
不同?id，vgs 时的?rds on（zuida值）:47 毫欧 @ 3.5a，10v
不同 id 时的 vgs（th）（zuida值）:3v @ 250μa
不同 vgs 时的栅极电荷（qg）:4.5nc @ 5v
不同 vds 时的输入电容（ciss）:305pf @ 15v
fet 功能:-
功率耗散（zuida值）:*
工作温度:-55°c ~ 150°c（tj）
安装类型:表面贴装
封装/外壳:to-236-3，sc-59，sot-23-3
供应商器件封装:sot-23-3（to-236）
标准包装:3,000
其它名称:si2306bds-t1-ge3tr si2306bdst1ge3