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产品属性
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1.概述
W25Q80(8M位),W25Q16(16M位)和W25Q32(32M位)串行闪存提供
适用于空间,引脚和电源有限的系统的存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和
性能远远超出普通的串行闪存设备。它们非常适用于RAM的代码遮蔽,
直接从Dual / Quad SPI(XIP)执行代码以及存储语音,文本和数据。这些器件
采用2.7V至3.6V单电源供电,电流消耗低至5mA
,断电时为1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
W25Q80 / 16/32阵列分为4,096 / 8,192 / 16,384个可编程页面,每页256字节
。使用页面编程指令一次最多可编程256个字节。可以
以16个组(扇区擦除),128个组(32KB块擦除),256个组(64KB
块擦除)或整个芯片(芯片擦除)的组擦除页面。W25Q80 / 16/32分别具有256/512/1024个可擦除扇区
和16/32/64可擦除块。小的4KB扇区允许在
需要数据和参数存储的应用中具有更大的灵活性。(见图2.)
W25Q80 / 16/32支持标准串行外设接口(SPI),高性能
双/四路输出以及使用SPI引脚的双/四路I / O SPI:串行时钟,片选,串行数据
I / O0(DI),I / O1(DO),I / O2(/ WP)和I / O3(/ HOLD)。
支持高达80MHz的SPI时钟频率,
当使用快速读取双/四输出指令时,双输出的等效时钟速率为160MHz,四路输出的时钟频率为320MHz 。这些传输速率可与
8位和16位并行闪存存储器相媲美。
保持引脚,写保护引脚和可编程写保护,具有顶部或底部阵列控制,
提供进一步的控制灵活性。此外,该器件还支持JEDEC标准制造商和
带有64位唯一序列号的器件识别。
2.特点
•SpiFlash存储器系列
- W25Q80:8M位/ 1M字节(1,048,576)
- W25Q16:16M位/ 2M字节(2,097,152)
- W25Q32:32M位/ 4M字节(4,194,304)
- 每个可编程页256字节
•标准,双路或四路SPI
- 标准SPI:CLK,/ CS,DI,DO,/ WP,/保持
- 双路SPI:CLK ,/ CS,IO0,IO1,/ WP,/保持
- 四路SPI:CLK,/ CS,IO0,IO1,IO2,IO3
•最高性能串行闪存
- 高达普通串行闪存的
60 倍- 80MHz时钟操作
- 相当于160MHz双SPI
- 320MHz等效Quad SPI
- 40MB / S连续数据传输速率
- 30MB / S随机访问(32字节取指)
- 可与X16并行闪存相媲美
•低功耗,宽温度范围
- 2.7至3.6V单电源
- 4mA有效电流,<1μA断电(典型值)
- -40°C至+ 85°C工作范围
•灵活的架构,4KB扇区
- 统一扇区擦除(4K字节)
- 块擦除(32K和64K字节)
- 程序1至256个字节
- 最多100,000个擦除/写入周期
- 20年数据保留
•高级安全功能
- 软件和硬件写保护
- 顶部或底部,扇区或块选择
- 锁定和OTP保护
(1)
- 每个设备的64位唯一ID
(1)
注1:
这些功能是特殊订单。
有关详细信息,请联系Winbond。
• 节省空间的封装
- 8引脚SOIC 208密耳
- 8焊盘WSON 6x5毫米(W25Q80和W25Q16)
W25Q16JVSIQ
WINBOND
19+
50000
SOP8
供应H9TP32A4GDBCPR-KGM 智能穿戴存储器
供应SST39VF1601-70-4C-EKE 闪存 代理直销
NOR闪存 AT45DB041E-SHN-T 原装
供应H5TQ4G63AFR-PBC存储器 代理直销
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壹诺直供NOR闪存 AT45DB041E-SHN-T
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供应W25M02GVZEIG WSON-8 WINBOND NAND FLASH
全新原装 S29AS016J70BHI040 Infineon NOR闪存
供应AT45DB041E-SSHN-T SOP-8 ADESTO NOR FLASH