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Nexperia Trench 9超级结MOSFET将低压超级结技术与先进的封装设计相结合,以实现高性能和耐用性。Trench 9 MOSFET系列产品全部符合AEC-Q101标准,且超越了这一国际汽车级标准的要求,在包括温度循环 (TC)、耐高温栅极偏置 (HTGB)、耐高温反向偏置 (HTRB) 和断续工作寿命 (IOL) 等主要的可靠性测试方面达到了两倍的指标值。

这些N通道40V Trench 9 MOSFET具有较高的功率密度和效率,RDSon范围为1.4mΩ至3.5mΩ,具有出色的单触发或重复性雪崩性能。Nexperia Trench 9 Superjunction MOSFET采用紧凑型30mm2 LFPAK56和LFPAK56E封装。这些器件的封装设计和功率密度使其可替代DPAK和D2PAK MOSFET,且占位面积更小。

型号/规格

BUK7J

品牌/商标

NXP

封装

SOT-1023

批号

22+