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这些N通道40V Trench 9 MOSFET具有较高的功率密度和效率,RDSon范围为1.4mΩ至3.5mΩ,具有出色的单触发或重复性雪崩性能。Nexperia Trench 9 Superjunction MOSFET采用紧凑型30mm2 LFPAK56和LFPAK56E封装。这些器件的封装设计和功率密度使其可替代DPAK和D2PAK MOSFET,且占位面积更小。
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