供应IPP082N10NF2S
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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制造商
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系列
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包装
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管件
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产品状态
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在售
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FET 类型
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
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6V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
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8.2 毫欧 @ 50A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
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3.8V @ 46μA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
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42 nC @ 10 V
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Vgs（大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
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2000 pF @ 50 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（大值）
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3.8W（Ta），100W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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供应商器件封装
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PG-TO220-3
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封装/外壳
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IPP082N10NF2S
INFINEON
TO-220-3
22+
