IPP083N10N5
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
相关推荐
类别
|
|
|
制造商
|
|
|
系列
|
|
|
包装
|
管件
|
|
产品状态
|
在售
|
|
FET 类型
|
|
|
技术
|
MOSFET(金属氧化物)
|
|
漏源电压(Vdss)
|
|
|
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
|
|
|
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
|
6V,10V
|
|
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
|
8.3 毫欧 @ 73A,10V
|
|
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
|
3.8V @ 49μA
|
|
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
|
37 nC @ 10 V
|
|
Vgs(大值)
|
±20V
|
|
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
|
2730 pF @ 50 V
|
|
FET 功能
|
-
|
|
功率耗散(大值)
|
100W(Tc)
|
|
工作温度
|
-55°C ~ 175°C(TJ)
|
|
安装类型
|
|
|
供应商器件封装
|
PG-TO220-3
|
|
封装/外壳
|
|
|
基本产品编号
|
IPP083N10N5
INFINEON
TO-220-3
22+