IPP083N10N5

地区:广东 深圳
认证:

深圳市博锐升电子科技有限公司

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类别
制造商
系列
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
8.3 毫欧 @ 73A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
3.8V @ 49μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
37 nC @ 10 V
Vgs(大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
2730 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(大值)
100W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
基本产品编号
型号/规格

IPP083N10N5

品牌/商标

INFINEON

封装

TO-220-3

批号

22+