原厂供应SI2328DS-T1-GE3,绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 MOSFET N 通道

表面贴装 N 沟道 100V 1.15A（Ta） 730mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）,FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）100V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1.15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）250 毫欧 @ 1.5A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）5nC @ 10VVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）730mW（Ta）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装SOT-23-3（TO-236）封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3