晶体管 FDB52N20TM

FDB52N20TM

产品详情如下

类型	描述	选择
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	UniFET?
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)	52A（Tc）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）	49 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）	5V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）	63 nC @ 10 V
Vgs（zui大值）	?30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）	2900 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（zui大值）	357W（Tc）
工作温度	-55?C ~ 150?C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D?PAK（TO-263）
封装/外壳	TO-263-3，D?Pak（2 引线 %2B 接片），TO-263AB

FDB52N20TM

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型号/规格

FDB52N20TM

品牌/商标

onsemi

封装

TO-263-3

批号

22+

安装类型

表面贴装型

供应 晶体管 FDB52N20TM

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