半导体晶体管 STH3N150-2

STH3N150-2

STH3N150-2产品详情如下

类型	描述	选择
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	STMicroelectronics
系列	PowerMESH?
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.5A（Tc）
驱动电压	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻	9 欧姆 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)	5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)	29.3 nC @ 10 V
Vgs	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)	939 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散	140W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	H2PAK
封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型
基本产品编号	STH3N150

STH3N150-2

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型号/规格

STH3N150-2

品牌/商标

STMicroelectronics

封装

TO-263-3

批号

22+

工作温度

150°C（TJ）

供应半导体 晶体管 STH3N150-2

供应半导体晶体管 STH3N150-2