分立半导体产品晶体管IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1产品详情如下

类型	描述	选择
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS?
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	21A（Tc）
驱动电压（ Rds On，Rds On）	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻	53 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)	4V @ 35μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)	12 nC @ 10 V
Vgs	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)	887 pF @ 75 V
FET 功能	-
功率耗散	68W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TO252-3
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

IPD530N15N3GATMA1吃简图

IPD530N15N3GATMA1

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型号/规格

IPD530N15N3GATMA1

品牌/商标

Infineon Technologies

封装

TO252-3

批号

22+

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

分立半导体产品 晶体管IPD530N15N3GATMA1

分立半导体产品晶体管IPD530N15N3GATMA1