功率MOSFET -8.0 V, -1.4 A,单P沟道, SC- 70

地区:广东 深圳
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 分立半导体产品 >  晶体管 - FET,MOSFET - 单,功率MOSFET -8.0 V, -1.4 A,单P沟道, SC- 70,产品种类:MOSFET晶体管极性:P-Channel汲极/源极击穿电压:- 8 V闸/源击穿电压:+/- 8 V漏极连续电流:- 1.4 A导通电阻:117 mOhms配置:Single最大工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-323封装:Reel商标:ON Semiconductor下降时间:15 ns最小工作温度:- 55 C功率耗散:0.29 W上升时间:15 ns工厂包装数量:3000典型关闭延迟时间:26 ns
型号/规格

NTS2101PT1G

品牌/商标

ON

封装

SOT323

批号

19+

数量

300000