产品详情

*童场效应管FQP4N80

地区：广东 深圳
认证： 无

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Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:MOSFETs 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Product:General Purpose MOSFETs 
Configuration:Single 
Package / Case:TO-220 
Transistor Polarity:N-Channel 
Drain-Source Breakdown Voltage:800 V 
Continuous Drain Current:3.9 A 
Power Dissipation:130000 mW 
Forward Transconductance gFS (Max / Min):3.8 S 
Resistance Drain-Source RDS (on):3.6 Ohm @ 10 V 
T*ical Fall Time:35 ns 
T*ical Rise Time:45 ns 
T*ical Turn-Off Delay Time:35 ns 
Packaging:Tube 
Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V 
Maximum Operating Temperature:150 C 
Minimum Operating Temperature:- 55 C 
T*e:MOSFET
"
品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQP4N80

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

A/宽频带放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

M*金属半导体

封装形式

TO220

产品类型

肖特基管

封装材料

金属封装