供应三*管2SA1939
地区：浙江 杭州
认证：
无
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产品属性
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型号：2SA1939
PNP硅大功率晶体管
封装形式：TO-*N
电特性：
*限值（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | * 号 | 额定值 | 单 位 |
集电*—发射*电压 | VCE0 | -80 | V |
集电*—基*电压 | VCBO | -80 | V |
发射*—基*电压 | VEBO | -5 | V |
集电*电流 | IC | -6 | A |
基*电流 | IB | -0.6 | A |
耗散功率 | Pc | 60 | W |
结 温 | Tj | 150 | ℃ |
贮存温度 | Tstg | -55 ~ 150 | ℃ |
电参数（除非另有规定Tamb=25℃）
参数名称 | *号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
*小 | 典型 | *大 | ||||
集电*-基*截止电流 | ICB0 | VCB= -80V, IE=0 | — | — | -5.0 | uA |
发射*-基*截止电流 | IEB0 | VEB= -5V,IC=0 | — | — | -5.0 | uA |
集电*-发射*击穿电压 | V(BR)CEO | IC= -50mA, IB=0A | -80 | — | — | V |
直流电流增益 | hFE1 | Vce= -5V Ic= -1A | 55 | — | 160 |
|
hFE2 | Vce= -5V Ic= -3A | 35 | 75 | — | ||
集电*-发射*饱和电压 | VCE(sat) | IC= -5A, IB= -0.5A | — | -0.45 | -2.0 | V |
基*-发射*饱和电压 | VBE | VCE= -5V, IC= -3A | — | -0.92 | -1.5 | V |
特征频率 | fT | Vce= -5V，Ic= -1A | — | 30 | — | MHz |
a:脉冲测试 | ||||||
否
国产
2SA1939
功率
硅(Si)
PNP型
平面型
直插型
塑料封装
