杨少彬
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SANYO/三洋
CPH5839
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
30(V)
-(V)
-(μS)
-(pF)
-(dB)
-(mA)
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