发射管生产厂家 850发射管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市兴辉光电有限公司

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Parameter

Symbol

Rating

Unit

Continuous Forward Current

IF

50

mA

Peak Forward Current

IFP

1

A

Reverse Voltage

VR

5

V

Operating Temperature

Topr

-40 ~ 85

Storage Temperature

Tstg

-40 ~ 85

Soldering Temperature

Tsol

260

Power Dissipation at25℃Free Air Temperature

Pd

100

mW

 

Notes:*1:IFPConditions--Pulse Width≦100μs and Duty≦1%.

*2:Soldering time≦5 seconds.

 

Electro-Optical Characteristics (Ta=25)

Parameter

Symbol

Condition

Min

T*

Max

Unit

Radiant Intensity

IE

IF=20mA

9.2

20

--

mW/sr

Radiant Intensity

IE

IF=100mA

Pulse Width100μs ,Duty1%

--

180

--

mW/sr

Radiant Intensity

IE

IF=1A

Pulse Width100μs ,Duty1%

--

950

--

mW/sr

Peak Wavelength

λp

IF=20mA

--

850

--

nm

Spectrial Bandwidth

Δλ

IF=20mA

--

45

--

nm

Forward

VF

IF=20mA

 

1.45

1.65

V

Forward

VF

IF=100mA

Pulse Width100μs ,Duty1%

--

1.60

2.0

V

Forward Voltage

VF

IF=1A

Pulse Width100μs ,Duty1%

--

4.1

5.25

V

Reverse Current

IR

VR=5V

--

--

10

μA

View Angle

2θ1/2

IF=20mA

--

60

--

deg

 

产品类型

功率二*管

是否*

品牌/商标

台湾鼎元芯片

型号/规格

EDIRP8072C2-1

材料

金线和晶片

封装

白透明无色胶体封装

工作温度范围

85(℃)

功耗

30

针脚数

2脚

批号

11

备注

角度可选择

正向电流

50MA

正向电压

1.45-1.55V