供应国产大功率PNP三*管型批发【*】

地区:广东 深圳
认证:

深圳市联通达电子有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

工作原理

  晶体三*管(以下简称三*管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPNPNP两种结构形式,但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压*下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源*性不同外,其工作原理都是相同的,下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。

  对于NPN管,它是由2N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射*e、基*b集电*c

  当b点电位高于e点电位*点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电*电源Ec要高于基*电源Ebo

  在制造三*管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)*基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射*电流了。

  由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给,从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得:

Ie=Ib Ic

  这就是说,在基*补充一个很小的Ib,就可以在集电*上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,IcIb是维持*的比例关系,即:

β1=Ic/Ib

  式中:β1--称为直流放大倍数,

  集电*电流的变化量Ic与基*电流的变化量Ib之比为:

β=Ic/Ib

  式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。

  三*管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。

*管,全称应为半导体三*管,也称双*型晶体管,晶体三*管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也用作无触点开关。

工作原理

  晶体三*管(以下简称三*管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPNPNP两种结构形式,但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三*管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压*下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源*性不同外,其工作原理都是相同的,下面*介绍NPN硅管的电流放大原理。

  对于NPN管,它是由2N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射*e、基*b集电*c

  当b点电位高于e点电位*点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电*电源Ec要高于基*电源Ebo

  在制造三*管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正偏,发射区的多数载流子(电子)*基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射*电流了。

  由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基*电源Eb重新补给,从而形成了基*电流Ibo.根据电流连续性原理得:

Ie=Ib Ic

  这就是说,在基*补充一个很小的Ib,就可以在集电*上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,IcIb是维持*的比例关系,即:

β1=Ic/Ib

  式中:β1--称为直流放大倍数,

  集电*电流的变化量Ic与基*电流的变化量Ib之比为:

β=Ic/Ib

  式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。

  三*管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三*管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。

品牌/商标

国产

型号/规格

国产

应用范围

振荡

功率特性

大功率

频率特性

*频

*性

PNP型

结构

点接触型

材料

硅(Si)

封装形式

直插型

封装材料

金属封装

截止频率fT

见参数(MHz)

集电*允许电流ICM

1(A)

集电*耗散功率PCM

1(W)

营销方式

*

产品性质

*