MOS管1N60C原装现货UTC品牌/图片/技术支持

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1N60C MOS管

1.2A, 600V N-CHANNEL
POWER MOSFET

1N60C描述:

UTC
1N60C高压MOSFET和设计有更好的特性,
如快速开关时间、低门,低开态电阻和高崎
岖雪崩特性。这通常使用功率MOSFET高速开
关应用在电源、PWM电机控制,高效直流对直
流转换器和桥电路。

1N60C特性:
* VDS = 600 v
* ID = 1.2
* RDS()= 11.5Ω@vgs= 10 v。
*超低闸极电荷(典型的5.0数控)
*反向传输电容低(crs =典型3.0 pF)
*快速交换能力
*雪崩能量指定
*改善dv / dt能力,高强度

1N60C参数：

1N60C图片：

1N60C电路图：

1N60C封装：

型号

1N60C

品牌

UTC

封装

SOT-223

年份

2017+