供应三星存储K9F2G08U0C-SCB0

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K9F2G08U0C-SCB0产品介绍

 

 

品牌:Samsung/三星 型号:K9F2G08U0C-SCB0 介质材料:其他
应用范围:中和 外形:圆片形 功率特性:中功率
频率特性:高频 调节方式:固定 引线类型:径向引出线
允许偏差:±0.005(%) 耐压值:2.5(V) 等效串联电阻(ESR):0(mΩ)
标称容量:0(uF) 损耗:0 额定电压:0(V)
绝缘电阻:0(mΩ) 温度系数:0 功率:0
处理器速度:0 0:0
 

K9F2G08U0C-SCB0是一个2112 mbit的(位)内存组织为131072行(页)到2112年×8列。

多余的64 x8columns从列地址位于2048 ~ 2111。

一个2112字节的数据寄存器连接到存储单元阵列accommo-dating之间数据传输的I / O和内存缓冲区在页面阅读和页面程序操作。

内存数组是人工的32个细胞连续地连接到形成一个与非结构。每个32细胞驻留在不同的页面。

一个与非结构由32个细胞。总1081344与非细胞驻留在一块。programand执行读操作的页面上的基础,

而擦除操作上执行一个街区的基础。2048年con-sists内存数组分别可擦写128 k字节块。

它表明,一点一点地擦除操作是禁止在K9F2G08U0C-SCB0


K9F2G08U0C-SCB0有地址的多路复用成8 I / Os。这个方案可以显著降低销项并允许系统upgradesto未来通过维持一致性系统密度板设计。

命令,地址和数据都是通过书面I / O的bybringing我们低而CE低。那些是锁定在前沿的我们。

命令门闩启用(CLE)和地址LatchEnable(ALE)用于多路传输命令和地址分别通过I / O别针。一些命令需要一个总线周期。


三星NANDFLASH: K9F2G08U0C-SCB0 SAMSUNG专营商

电压

3.6

类别

原装

年份

16=

产地

KOREA

品牌

SAMSUNG