供应 NTHD4N02FT1G 原装正品

PCN Obsolescence：Multiple Devices 21/Jan/2010

标准包装：3,000

类别：分立式导体产品

家庭：FET - 单

系列：-

包装：带卷 (TR)

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：二极管（隔离式）

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.9A （Tj）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 2.9A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：300pF @ 10V

功率 - 最大值：910mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，扁平引线

供应商器件封装：ChipFET™

其它名称：NTHD4N02FT1GOS

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