供应 CSD25401Q3 MOSFET

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-Clip-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:- 20 

VId-连续漏极电流:- 14 A

Rds On-漏源导通电阻:11.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single Quad Source Triple Drain

Pd-功率耗散:2.8 W

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm 

长度:3.3 mm 

系列:CSD25401Q3 

晶体管类型:1 P-Channel 

宽度:3.3 mm 

商标:Texas Instruments 

下降时间:12.6 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:3.9 ns 

工厂包装数量:2500 

子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:13.5 ns

 典型接通延迟时间:8.1 ns

诚信经营 质量保证

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