供应 CSD16409Q3 MOSFET

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSON-Clip-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:25 

VId-连续漏极电流:100 A

Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:16 V

Qg-栅极电荷:4 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

Pd-功率耗散:2.6 W通

道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm 

长度:3.3 mm 

系列:CSD16409Q3 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:3.3 mm 

商标:Texas Instruments 

正向跨导 - 最小值:38 S 

下降时间:3.4 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:10.6 ns 

工厂包装数量:2500

 子类别:MOSFETs 

典型关闭延迟时间:6.3 ns 

典型接通延迟时间:6.5 ns 

单位重量:41.800 mg

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MOSFET