供应IGBT 模块FF150R12KT3G

产品：IGBT Silicon Modules

配置：Dual

集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V

集电极—射极饱和电压：2.15 V

在25 C的连续集电极电流：225 A

栅极—射极漏泄电流：400 nA

功率耗散：780 W

最大工作温度：+ 125 C

封装 / 箱体：62 mm

商标：Infineon Technologies

栅极/发射极最大电压：+/- 20 V

最小工作温度：- 40 C

安装风格：Screw

工厂包装数量：10

诚信经营 质量保证

本司是一家专业从事集成电路配套服务的供应商，在本行拥有多年销售经验!备有大量现货库存，诚信为本,客户至上,为客户把好产品的质量关!本司一贯以：“品质第一、价格合理、发货快捷、服务至上”的发展理念为宗旨，以向客户提供最满意的服务为己任，真诚欢迎海内外用户前来洽谈合作，共谋发展和建立长期的合作关系!

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