供应 SI6968BEDQ-T1-GE3 MOSFET

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：20 V

闸/源击穿电压：+/- 12 V

漏极连续电流：6.5 A

导通电阻：22 mOhms

配置：Dual

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：TSSOP-8

封装：Reel

商标：Vishay / Siliconix

下降时间：330 ns

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：1.5 W

上升时间：330 ns

系列：SI6968BEDQ

工厂包装数量：3000

典型关闭延迟时间：860 ns

零件号别名：SI6968BEDQ-GE3

诚信经营 质量保证

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