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供应FP40R12
KE3产品参数如下:
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.3 V
在25 C的连续集电极电流: 55 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 200 W
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: EconoPIM2
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 500
FP40R12KE3FP40R12KE3FP40R12KE3FP40R12KE3
FP40R12KE3
INFINEON(英飞凌)
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