供应FP40R12KE3 IGBT 模块

地区:广东 深圳
认证:

深圳市百诺芯科技有限公司

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供应FP40R12

KE3产品参数如下:

产品种类:  IGBT 模块

产品:    IGBT Silicon Modules

配置:    Hex

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.3 V

在25 C的连续集电极电流: 55 A

栅极—射极漏泄电流:    400 nA

功率耗散:  200 W

最大工作温度:     + 125 C

封装 / 箱体:  EconoPIM2

商标:    Infineon Technologies

栅极/发射极最大电压:   +/- 20 V

最小工作温度:     - 40 C

安装风格:  Screw

工厂包装数量:     500




FP40R12KE3FP40R12KE3FP40R12KE3FP40R12KE3


型号/规格

FP40R12KE3

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装

MODULE

批号

17+

价格

面议