供应FQI13N50CTU 金氧半场效晶体管

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

FQI13N50CTU产品参数：

晶体管极性：   N-Channel

汲极/源极击穿电压： 500 V

闸/源击穿电压：   +/- 30 V

漏极连续电流：     13 A

导通电阻：  390 mOhms

配置：    Single

最大工作温度：     + 150 C

安装风格：  Through Hole

封装 / 箱体：  TO-262

封装：    Tube

商标：    Fairchild Semiconductor

下降时间：  100 ns

正向跨导 - 最小值：  15 S

最小工作温度：     - 55 C

功率耗散：  195 W

上升时间：  100 ns

系列：    FQI13N50

工厂包装数量：     50

典型关闭延迟时间：   130 ns

零件号别名：   FQI13N50CTU_NL

单位重量：  2.084 g

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