供应, K4A8G165WC-BCTD,SAMSUNG/三星

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K4A8G165WC-BCTD,SAMSUNG/三星,危芯练戏:依叭溜溜寺山寺依武叭武

8Gb DDR4 SDRAM B管芯组织为64Mbit x 16 I/O x 8存储库

装置这种同步设备实现了高速双倍数据速率

传输速率高达2666Mb/秒/引脚(DDR4-2666),适用于一般应用。

该芯片的设计符合以下DDR4 SDRAM的关键功能

如张贴的CAS、可编程CWL、内部(自)校准、,

使用ODT引脚和异步复位的片上端接。

所有的控制和地址输入都与一对外部同步

提供的差分时钟。输入锁定在差速器的交叉点

时钟(CK上升和CK下降)。所有I/O都与

一对双向选通管(DQS和DQS)。

地址总线用于传输行、列和存储体地址

RAS/neneneba CAS多路复用方式的信息。DDR4设备运行

单路1.2V(1.14V~1.26V)电源,1.2V(1.14V~1.26V)VDDQ

和2.5V(2.375V~2.75V)VPP。

8Gb DDR4 B芯片设备有96球FBGA(x16)。

JEDEC标准1.2V(1.14V~1.26V)

?VDDQ和1.2V(1.14V~1.26V)

?VPP 2.5伏(2.375伏~2.75伏)

?800 MHz fCK适用于1600Mb/sec/引脚,933 MHz fCK用于1866Mb/sec/引脚,

2133Mb/秒/引脚的1067MHz fCK、2400Mb/秒-引脚的1200MHz fCK,

1333MHz fCK,用于2666Mb/秒/引脚

?8家银行(2个银行集团)

?可编程CAS延迟(发布于CAS):

10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20

?可编程CAS写入延迟(CWL)=9.11(DDR4-1600),10.12

(DDR4-1866)、11,14(DDR4-2133)、12,16(DDR4-2400)和14,18(DDR4-2500)

2666)

?8位预取

?突发长度:8,4,tCCD N4不允许无缝读取或

写[使用A12或MRS动态]

?双向差分数据选通

?内部(自)校准:通过ZQ引脚进行内部自校准

(RZQ:240欧姆?1%)

?使用ODT引脚的片上端接

?低于TCASE 85?C时的平均刷新周期为7.8us,85?C下为3.9us<

TCASE<95?C

?支持工业温度(-40?C)

-tREFI 7.8us,-40?C≤TCASE≤85?C

-tREFI 3.9us,85?C<TCASE≤95?C

?异步复位

?包装:96球FBGA px16

?所有无铅产品均符合RoHS

?所有产品均不含卤素

?用于读/写数据安全的CRC(循环冗余校验)

?命令地址奇偶校验

?DBI(数据总线反转)

?减速模式

?用于数据输入/输出的POD(伪开放式排水)接口

?用于数据输入的内部VREF

?用于DRAM激活电源的外部VPP

?支持PPR和sPPR

型号/规格

K4A8G165WC-BCTD

品牌/商标

SAMSUNG/三星

封装

FBGA-96

批号

2020+

产地

台湾