供应，STM32H725ZGT6，ST/意法半导体，Arm

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STM32H725ZGT6，ST/意法半导体，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，1 MB闪存，

564 KB，RAM、以太网、USB、3个FD-CAN、图形、2个16位ADC

STM32H725ZGT6，V 18664341585,ST/意法半导体，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，1 MB闪存，

564 KB，RAM、以太网、USB、3个FD-CAN、图形、2个16位ADC

描述

STM32H725xE/G设备基于高性能Arm?Cortex?-M7 32位

RISC，工作频率高达550 MHz。Cortex?-M7采用浮点单元

（FPU），支持Arm?双精度（符合IEEE 754标准）和单精度

数据处理指令和数据类型。Cortex-M7内核包含32 KB的

指令高速缓存和32K字节的数据高速缓存。STM32H725xE/G设备支持全套

DSP指令和存储器保护单元（MPU），以增强应用程序的安全性。

STM32H725xE/G设备包含高达1M字节的高速嵌入式存储器

闪存，564 KB的RAM（包括可共享的192 KB

在ITCM和AXI之间，加上64K字节专用ITCM，加上128K字节专用AXI，

128 KB DTCM、48 KB AHB和4 KB备份RAM），以及大量

连接到APB总线、AHB总线、2x32位的一系列增强型I/O和外围设备

多AHB总线矩阵和多层AXI互连

?外围设备，包括

–灵活的存储器控制（FMC）接口

–两个Octo SPI内存接口

–用于CMOS传感器的摄像头接口

–LCD-TFT显示控制器

有关外围设备列表，请参阅表2:STM32H725xE/G功能和外围设备计数

每个零件号上都有。

为了降低功耗，STM32H2725xE/G包括可选的降压

转换器，可用于内部或外部电源，或两者兼而有之。

STM32H2725xE/G设备在–40至%2B125?C的环境温度范围内运行

1.62至3.6 V电源。通过使用

外部电源监控器（见第3.7.2节：电源监控器），并连接

PDR_ON引脚至VSS。否则，电源电压必须保持在1.71 V以上

嵌入式电源电压检测器启用。

USB专用电源输入可供选择，提供更多电源。

一套全面的节能模式允许设计低功耗应用程序

高达1兆字节的嵌入式闪存

电子控制

?SRAM：总共564 KB，全部带有ECC，包括

128 KB的数据TCM RAM，用于关键实时

数据%2B432 KB的系统RAM（多

256 KB可以在指令TCM上重新映射

关键实时指令的RAM）%2B

4 KB的备份SRAM（可在

功率模式）

?具有高达

24位数据总线：SRAM、PSRAM、，

SDRAM/LPSDR SDRAM，NOR/NAND

回忆

?2个带XiP的Octo SPI接口

?2个SD/SDIO/MMC接口

?引导程序

图样

?Chrom ART Accelerator图形硬件

加速功能增强的图形用户

减少CPU负载的接口

?支持高达XGA的LCD-TFT控制器

决议

时钟、复位和电源管理

?1.62 V至3.6 V应用电源和I/O

?POR、PDR、PVD和BOR

?专用USB电源

?嵌入式DCDC和LDO调节器

（*）VFQFPN68变体仅限DCDC

?内部振荡器：64 MHz HSI，48 MHz

HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI

?外部振荡器：