IXTH50N20 IXYS 电源开关,电源管,场效应管,MOS管 IGBT*十

地区:广东 深圳
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品牌/商标

IXY美国电报半导体

型号/规格

IXTH50N20

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

*肖特基势垒栅

开启电压

200(V)

夹断电压

1(V)

跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

50(mA)

耗散功率

1(mW)