供应CSD25483F4
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本次到货数量;56200个 十年芯途,只做原装,持续供应,电话;13590206539 /0755-23945755 朱先生
FET 类型
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P 通道
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技术
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MOSFET(金属氧化物)
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漏源电压(Vdss)
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20 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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1.6A(Ta)
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驱动电压(大 Rds On,小 Rds On)
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1.8V,4.5V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
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205 毫欧 @ 500mA,8V
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不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
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1.2V @ 250μA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
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0.959 nC @ 4.5 V
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Vgs(大值)
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-12V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
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198 pF @ 10 V
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FET 功能
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-
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功率耗散(大值)
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500mW(Ta)
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工作温度
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-55°C ~ 150°C(TJ)
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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3-PICOSTAR
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封装/外壳
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3-XFDFN
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CSD25483F4
TI
PICOSTAR-3
2021+