AO3400 丝印A09T MOS场效应管 N沟道

地区:广东 深圳
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AO3400 丝印A09T MOS场效应管 N沟道


数据列表
AO3400
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
-
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
5.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
26.5 毫欧 @ 5.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
7nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
630pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.4W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SOT-23-3L
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

我司可为客户开具13%增值税发票。


型号/规格

AO3400

品牌/商标

AOS/ 万代

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率