AO3400 丝印A09T MOS场效应管 N沟道
地区:广东 深圳
认证:
无
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AO3400 丝印A09T MOS场效应管 N沟道
数据列表 |
AO3400 |
类别 |
分立半导体产品 |
产品族 |
晶体管 - FET,MOSFET - 单 |
系列 |
- |
FET 类型 |
N 沟道 |
技术 |
MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) |
30V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) |
5.7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) |
2.5V,10V |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) |
26.5 毫欧 @ 5.7A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) |
1.5V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) |
7nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) |
±12V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) |
630pF @ 15V |
FET 功能 |
- |
功率耗散(最大值) |
1.4W(Ta) |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 |
表面贴装 |
供应商器件封装 |
SOT-23-3L |
封装/外壳 |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
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AO3400
AOS/ 万代
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率