FDS8984 晶体管MOSFET 8-SOIC 逻辑电平门
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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数据列表 |
FDS8984 |
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类别 |
分立半导体产品 |
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产品族 |
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 |
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FET 类型 |
2 个 N 沟道（双） |
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FET 功能 |
逻辑电平门 |
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漏源电压（Vdss） |
30V |
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） |
7A |
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不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） |
23 毫欧 @ 7A，10V |
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） |
2.5V @ 250μA |
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不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） |
13nC @ 10V |
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） |
635pF @ 15V |
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功率 - 最大值 |
1.6W |
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工作温度 |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
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安装类型 |
表面贴装 |
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封装/外壳 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
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