*三*管(T0-92LS) SD A928

T_stg——贮存温度……………………………………-55~150℃

T_j——结温…………………………………………………150℃

P_C——集电*耗散功率…………………………………1W

V_CBO——集电*—基*电压………………………………-30V

V_CEO——集电*—发射*电压……………………………-30V

V_EBO——发射*—基*电压………………………-5V

I_C——集电*电流…………………………………………-2A

*  号  说  明

*  号

测  试  条  件

*小值

典型值

*大值

单 位

集电*—基*截止电流

I_CBO

V_CB=-30V,I_E=0

-100

nA

发射*—基*截止电流

I_EBO

V_EB=-5V,I_C=0

-100

nA

集电*—基*击穿电压

BV_CBO

I_C=-100uA,I_E=0

-30

V

集电*—发射*击穿电压

BV_CEO

I_C=-10mA,I_B=0

-30

V

发射*—基*击穿电压

BV_EBO

I_E=-1mA,I_C=0

-5

V

直流电流增益

h_FE

V_CE=-2V, I_C=-0.5A

100

320

集电*—发射*饱和压降

V_CE(sat)

I_C=-1.5A, I_B=-30mA

-2

V

基*—发射*电压

V_BE(on)

V_CE=-2V, I_C=-500mA

-1

V

特征频率

f_T

V_CE=-2V, I_C=-0.5A

120

MHz

共基*输出电容

C_OB

V_CB=-10V,I_E=0,f=1MHz

30

pF

O

Y

100 - 200

160－ 320