MOSFET金属氧化物场效应管SI3850DV-T1-E3

  产品描述：                                                                                                                                                     

                   MOSFET金属氧化物场效应管SI3850DV-T1-E3 / 原装现货新年份

品　　牌VISHAY/威世

厂家型号：SI3850DV-T1-E3

封装：SOT-163

包装方式：编带

内部结构：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

FET 类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL

技术：MOSFET（金属氧化物）

连续漏极 (Id）：1.2A

漏源导通电阻:0.75mΩ

漏源电压:20V

脉冲漏极电流:-2.5A

栅极-源极电压:±12V

连续漏极电流（TJ=150C）a，bTA = 25℃：3.5A

连续漏极电流（TJ=150C）a，bTA = 75℃:2.7A

连续源电流（二极管导电）a，b:-1A

功率耗散，b TA=25：1.25W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

金属氧化物场效应管SI3850DV-T1-E3 金属氧化物场效应管SI3850DV-T1-E3金属氧化物场效应管SI3850DV-T1-E3

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  主营  

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