MOSFET金属氧化物场效应管SI2302DS-T1-GE3

  产品描述：                                                                                                                                                     

                    MOSFET金属氧化物场效应管SI2302DS-T1-GE3 / 原装现货新年份

品　　牌VISHAY/威世

厂家型号：SI2302DS-T1-GE3

封装：SOT-23

包装方式：编带

技术：MOSFET（金属氧化物）

输入电容：865pF@10V

反馈电容 (Crss)：55pF@10V

FET 类型：N沟道

连续漏极 (Id)：6A

栅极电荷：8.8nC@4.5V

漏源导通电阻：28mΩ@4.5V,5A

漏源电压：20V

栅源极阈值电压:1V@250uA

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

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