MOSFET金属氧化物场效应管FDC6561AN

  产品描述：                                                                                                                                                     

                    MOSFET金属氧化物场效应管FDC6561AN

品　　牌ONSEMI/安森美
厂家型号FDC6561AN
封装：SOT-163
包装方式：编带
商品目录 场效应管(MOSFET)
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 3.2 nC
工作温度：-55℃~150℃
Pd-功率耗散: 900 mW
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 小值: 5 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 1.6 mm
单位重量: 36 mg

金属氧化物场效应管FDC6561AN 金属氧化物场效应管FDC6561AN 金属氧化物场效应管FDC6561AN

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 公司简介：                                                                                                                                                      

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公司产品涵盖FSC、ON、VISHAY、ANPEC、、AOS、NEC、ROHM、KEC、NXP、等国际品牌的二、三极管,IC元件等电子元器件,广泛应用于锂电池保护板、充电器管理、数码元器件、通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT 等产品中。我们相信,一个成熟的现代企业拥有的不仅仅是高质的产品,还应该有一流的服务,公司以科学现代的管理,充分利用高科技的发展,将“顾客至上,互利互惠”的理念贯穿于产品生产、销售、服务的始终。我们真诚的希望与国内、外供应商、分销商、厂商携手合作,共同发展,在国际电子市场谱写新的辉煌。

  主营  

我司主要经营产品有：IR，FSC ， ON、VISHAY、ANPEC、AOS、NEC、ROHM、KEC、NXP、等国际品牌的二、三极管,IC元件等电子元器件,广泛应用于手机，锂电池保护板、充电器管理、数码元器件、通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT 等产品中。