场效应管(MOSFET)/BSP613PH6327

  产品描述：                                                                                                                                                     

                    场效应管(MOSFET)/BSP613PH6327/ 原装现货新年份

制造商: Infineon
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 2.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 22 nC
工作温度: - 55 C~+ 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: BSP613
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 -: 2.7 S

高度: 1.6 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 6.7 ns
宽度: 3.5 mm
零件号别名: SP001058788 BSP613PH6327XTSA1
单位重量: 112 mg

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 公司简介：                                                                                                                                                      

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