分立半导体/晶体管/MOSFET管BSS131H6327

  产品描述：                                                                                                                                                     

                    分立半导体/晶体管/MOSFET管BSS131H6327 / 原装现货新年份

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 240 V
Id-连续漏极电流: 110 mA
Rds On-漏源导通电阻: 7.7 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
Qg-栅极电荷: 2.1 nC
工作温度: - 55 C~ %2B 150 C
Pd-功率耗散: 360 mW
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 64.5 ns
正向跨导: 0.06 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.1 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13.7 ns
典型接通延迟时间: 3.3 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: SP000702620 BSS131H6327XTSA1
单位重量: 8 mg

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  主营  

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