场效应管/晶体管/MOSFET管FDC5661N-NL

  产品描述：                                                                                                                                                     

                   场效应管/晶体管/MOSFET管FDC5661N-NL / 原装现货新年份

制造商: FAIRCHILD/仙童
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 4.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 47 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 19 nC
工作温度: - 55 C~%2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: UltraFET
系列: FDC5661N_F085
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Fairchild
配置: Single
下降时间: 3.1 ns
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
上升时间: 1.6 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19.3 ns
典型接通延迟时间: 7.2 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: FDC5661N_F085
单位重量: 36 mg

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