场效应管/MOS管DMP3065LVT-7/DIODES

  产品描述：                                                                                                                                                     

                   场效应管/MOS管DMP3065LVT-7/DIODES / 原装现货新年份

制造商: Diodes Incorporated
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOT-26
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 4.9 A
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.7 V
Qg-栅极电荷: 12.3 nC
工作温度: - 55 C ~ + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
系列: DMP3065
封装: Reel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 23.9 ns
上升时间: 11.8 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 21.8 ns
典型接通延迟时间: 5.7 ns
单位重量: 8 mg

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 公司简介：                                                                                                                                                      

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  主营  

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