场效应管/MOS管IRF5804TRPBF/ INFINEON

  产品描述：                                                                                                                                                     

                    场效应管/  MOS管FDC658AP/  ON安森美 / 原装现货新年份

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 2.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 334 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷: 5.7 nC
Pd-功率耗散: 2 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 3 mm
湿度敏感性: Yes
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.5 mm
单位重量: 20 mg

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  主营  

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