场效应管/MOS管BSL316CH6327/英飞凌

  产品描述：                                                                                                                                                     

                    场效应管/MOS管BSL316CH6327/Infineon英飞凌 / 原装现货新年份

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-6
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 1.4 A, 1.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms, 150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V, 1.5 V
Qg-栅极电荷: 600 pC, 2.4 nC
工作温度: - 55 C ~%2B 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
系列: BSL316
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 1 ns, 7.5 ns
正向跨导 - 值: 2.3 S, 2.7 S
高度: 1.1 mm
长度: 3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.3 ns, 6.5 ns
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 5.8 ns, 14.3 ns
典型接通延迟时间: 3.4 ns, 5 ns
宽度: 1.5 mm
单位重量: 20 mg

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