SI2302CDS-T1-GE3（MOS场效应管）

属性	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	2.9A
栅源极阈值电压	850mV @ 250uA
漏源导通电阻	57mΩ @ 3.6A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）	710mW
类型	N沟道

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.6A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：850mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：5.5nC @ 4.5V
功率 - 最大值：710mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

型号/规格

SI2302CDS-T1-GE3

品牌/商标

VISHAY

封装形式

SOT-236

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装