AO4420 液晶高压板MOS管 全新现货热

标准包装：1类别：分立式导体产品家庭：FET - 单系列：-包装：剪切带 (CT)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：13.7A （Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 13.7A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：36nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4050pF @ 15V功率 - 最大值：3.1W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOIC其它名称：785-1287-1

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

VDS (V) ID(A)

13.8

13.2

Symbol Limit Units

VDS 30

VGS ±20

TA=25°C 13.8

TA=70°C 11.6

IDM 50

IS 4.6 A

TA=25°C 3.1

TA=70°C 2.2

TJ

, Tstg -55 to 150 °C

Symbol Maximum Units

40

80

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

b. Pulse width limited by maximum junction temperature

Pulsed Drain Current b

Continuous Source Current (Diode Conduction) a

THERMAL RESISTANCE RATINGS

°C/W

Parameter

Operating Junction and Storage Temperature Range

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C UNLESS OTHERWISE NOTED)

V

Parameter

Drain-Source Voltage

Maximum Junction-to-Ambient a

Continuous Drain Current a

PRODUCT SUMMARY

30

rDS(on) (mΩ)

11 @ VGS = 4.5V

12 @ VGS = 2.5V

Gate-Source Voltage

Power Dissipation a

t <= 10 sec

Steady State

RθJA

ID

A

PD W

Key Features:

• Low rDS(on) trench technology

• Low thermal impedance

• Fast switching speed

Typical Applications:

• White LED boost converters

• Automotive Systems

• Industrial DC/DC Conversion Circuits