供应晶体管IRF1010EPB原装现货销售

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET
包装
管件
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
84A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
12 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
4V @ 250μA
Vgs
±20V
FET 功能
-
功率耗散
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
漏源电压（Vdss）
60 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
130 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)）
3210 pF @ 25 V
基本产品编号
IRF1010